基于DSIM开发者的案例介绍

1.High-Frequency Converter: 200kHz LLC Circuit

LLC 电路通常在高频范围内工作。采用传统的仿真方法,需要非常小的仿真时间步长才能得到正确的结果,这使得整个仿真过程非常耗时。DSIM采用事件驱动机制,大大缩短了仿真时间。

下图所示的仿真电路是一个LLC隔离双向DC-DC变换器,其变频控制频率在200 kHz左右,采用变频方波控制器产生开关信号。

要使用具有固定步长的现有仿真工具,必须选择一个非常小的时间步长。下面的仿真结果显示了输出直流电压Vo在不同时间步长下的仿真波形。可以观察到,时间步长大于1e-9s都不能够得到正确的波形。

使用1e-9s的时间步长时,现有的工具进行0.1秒的仿真需要超过20分钟。然而,使用离散状态事件驱动(DSED)算法,DSIM速度提高了1300多倍,只需要不到1秒就能得到相同的结果。下图为仿真结果比较,其中Vo为输出直流电压,Vcr为谐振电容电压。本算例测试平台的CPU为英特尔酷睿i7- 6600U。

2.Large-Scale Converter: 10kV Four-Port Solid-State Transformer

这是10kV/2MW的SST案例。

本例对一个大规模系统的四端口固态变压器(SST)进行仿真,它总共由576个开关组成,每个端口的额定功率为1MW。其系统图和DSIM内的电路仿真模型如下图所示:

对0.2秒的动态过程进行仿真,DSIM只需要17秒,比其他电力电子商业软件快1000多倍,而且仿真结果非常接近,相对误差小于0.01%,如下图所示。

3.Switching-Transient Model application: 50kVA Solid-State Transformer

本例展示了一个50kVA的固态变压器(SST),该系统包含AC-DC整流,DAB隔离,DC-AC逆变三级电能变换,如下图(a)所示。进行了仿真时间为5秒的电网侧低压穿越动态仿真测试,其中电网侧电压波形如下图(b)所示。

本例的DSIM电路仿真模型如下图所示:

对于5秒的动态过程,如果使用理想开关模型,DSIM耗时不到5秒,比现有软件快50倍;如果使用瞬态开关模型,DSIM大约需要50秒,比另一款商业软件快700倍。比较结果如下图所示。本算例的测试平台的CPU为英特尔酷睿i7-7700K。

仿真结果与实验结果能够很好吻合。电网侧波形和直流母线电压的比较如下图所示:

DSIM中使用的瞬态开关模型( PAT模型)的仿真结果与实验测量结果较为吻合。下图展示了一个开关管电流在一个电网周期(20ms)内的仿真与实验结果对比。由于软件B采用理想开关模型,不能仿真开关瞬态过程,与实验结果相差较大;DSIM结果则与实验结果较为吻合。

 

 

 

1.高频变换器LLC的案例。它展示了现有模拟器在时间步长差异方面的精度差异,以及在使用DSIM进行分析时的精度和模拟时间。
2.10kV/2MW的SST案例。
3.50kVA SST 的案例。其中包括了通过半导体开关的物理模型进行分析的波形与实测值的比较,以及双脉冲测试实验结果的记录。
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创建时间:2024-01-08 15:31